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电子元器件详细资料 » IC[21813] » IRF6619TR1
型号:IRF6619TR1类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:DirectFET? 等容 MX描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C30A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.2 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.45V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs57nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds5040pF @ 10V
功率_最大2.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MX
供应商设备封装DIRECTFET? MX
包装剪切带 (CT)

供应商

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锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
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深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
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IRF6619TR1相关型号

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