型号:IRF6619TR1 | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:DirectFET? 等容 MX | 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 30A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2.2 毫欧 @ 30A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.45V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 57nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 5040pF @ 10V |
功率_最大 | 2.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MX |
供应商设备封装 | DIRECTFET? MX |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
锦迅科技(香港)有限公司 | 马小姐086-0755-83226745/82584980 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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